Sayfayı Yazdır
STD10NM60ND
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 8 A, 0.57 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
1.911 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 1+ | 2,730 € |
| 10+ | 1,770 € |
| 100+ | 1,230 € |
| 500+ | 0,997 € |
| 1000+ | 0,947 € |
| 5000+ | 0,821 € |
Fiyatı:Each
Minimum: 1
Birden fazla: 1
2,73 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiSTMICROELECTRONICS
Üretici Parça No.STD10NM60ND
Sipariş Kodu2098152
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.57ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation70W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Ürün Genel Bakış
The STD10NM60ND is a FDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low ON-resistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
- 100% Avalanche tested
- Low gate input resistance
- Extremely high dV/dt avalanche capabilities
Uygulamalar
Industrial, Power Management
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
70W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.57ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknik Belgeler (2)
STD10NM60ND için alternatifler
3 Ürün Bulundu
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.001134