Sayfayı Yazdır
SCT040W120G3-4
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, HiP247
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
Sipariş Verilebilir
ilgilendiğiniz buradan kaydedin
| Miktar | |
|---|---|
| 1+ | 16,360 € |
| 5+ | 15,390 € |
| 10+ | 14,420 € |
| 50+ | 13,250 € |
| 100+ | 12,470 € |
| 250+ | 12,220 € |
Fiyatı:Each
Minimum: 1
Birden fazla: 1
16,36 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiSTMICROELECTRONICS
Üretici Parça No.SCT040W120G3-4
Sipariş Kodu4555800
Teknik Bilgi Formu
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.054ohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation312W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Teknik Özellikler
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
0.054ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
HiP247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
312W
Product Range
-
Teknik Belgeler (1)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.061
Ürün izlenebilirliği