Sayfayı Yazdır
SCT020HU120G3AG
Silicon Carbide MOSFET, AEC-Q101, Single, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.028 ohm, HU3PAK
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
Sipariş Verilebilir
Üretici Standart Teslim Süresi: 7 hafta
Yeniden stokta olduğunda beni bilgilendir
| Miktar | |
|---|---|
| 10+ | 16,900 € |
| 50+ | 16,050 € |
| 100+ | 15,200 € |
| 250+ | 14,900 € |
Fiyatı:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 10
Birden fazla: 1
174,00 € (KDV Hariç)
5,00 € tutarında yeniden makaralama ücreti bu ürüne eklenecek
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiSTMICROELECTRONICS
Üretici Parça No.SCT020HU120G3AG
Sipariş Kodu4632678RL
Teknik Bilgi Formu
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.028ohm
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation555W
Operating Temperature Max175°C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Teknik Özellikler
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
555W
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Morocco
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Morocco
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Bildirilecek
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Bildirilecek
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):2.32
Ürün izlenebilirliği