Sayfayı Yazdır
BSM300D12P3E005
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 300 A, 1.2 kV, Module
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
8 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 1+ | 1.073,000 € |
Fiyatı:Each
Minimum: 1
Birden fazla: 1
1.073,00 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiROHM
Üretici Parça No.BSM300D12P3E005
Sipariş Kodu3573226
Teknik Bilgi Formu
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id300A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation1.26kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Ürün Genel Bakış
BSM300D12P3E005 is a SiC power module. This product is a half bridge module consisting of SiC-DMOSFET and SiC-SBD from ROHM. Application includes motor drive, inverter, converter, photovoltaics, wind power generation, induction heating equipment.
- Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
- Reduced temperature dependence
- 1.7V on-state static (typ, Tj=25°C, ID=300A, VGS=18V)
- 2.5V drain-source voltage (typ, Tj=125°C, ID=300A, VGS=18V)
- 2mA drain cut-off current (max, VDS=1200V, VGS=0V, Tj=25°C)
- 2.0V source-drain voltage (typ, VGS=0V,IS=300A, Tj=25°C)
- 14nF input capacitance (typ, VDS=10V, VGS=0V, 200KHz, Tj=25°C)
- 2500Vrms isolation voltage (terminals to baseplate f = 60Hz AC 1 min, Tj = 25°C)
- Junction temperature range from -40 to 150°C
Teknik Özellikler
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
300A
Drain Source On State Resistance
-
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
1.26kW
Product Range
-
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Japan
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Japan
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.28
Ürün izlenebilirliği