Sayfayı Yazdır
RMLV0408EGSB-4S2#HA1
SRAM, Asynchronous SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8bit, TSOP-II, 32 Pins, 2.7 V
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
995 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 10+ | 11,030 € |
| 25+ | 10,570 € |
| 50+ | 10,260 € |
| 100+ | 9,940 € |
| 250+ | 9,520 € |
Fiyatı:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 10
Birden fazla: 1
115,30 € (KDV Hariç)
5,00 € tutarında yeniden makaralama ücreti bu ürüne eklenecek
Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiRENESAS
Üretici Parça No.RMLV0408EGSB-4S2#HA1
Sipariş Kodu4146925RL
Teknik Bilgi Formu
SRAM TypeAsynchronous SRAM, LPSRAM
Memory Size4Mbit
Memory Density4Mbit
SRAM Memory Configuration512Kword x 8bit
Supply Voltage Range2.7V to 3.6V
Memory Configuration512Kword x 8bit
Memory Case StyleTSOP-II
IC Case / PackageTSOP-II
No. of Pins32Pins
Supply Voltage Min2.7V
Access Time45ns
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom3V
Clock Frequency Max-
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Ürün Genel Bakış
RMLV0408E series 4Mb advanced LPSRAM (512-kword × 8bit). It is a family of 4-Mbit static RAMs organized 524,288-word × 8bit, fabricated by Renesas’s high-performance Advanced LPSRAM technologies. This has realized higher density, higher performance, and low power consumption. It offers low power standby power dissipation, therefore, it is suitable for battery backup systems.
- Maximum access time is 45ns, typical current consumption standby is 0.3µA
- Equal access and cycle times, common data input and output three state output
- Directly TTL compatible all inputs and outputs, battery backup operation
- Supply voltage range from 2.7 to 3.6V, input high voltage is 2.2V (min)
- Input leakage current is 1µA (max, Vin = VSS to VCC)
- Operating current is 10mA (max, CS# =VIL, others = VIH/VIL, II/O = 0mA)
- Standby current is 0.3mA (max, CS2 = VIL, others = VSS to VCC)
- Input capacitance is 8pF (max, Vin =0V, Vcc = 2.7 to 3.6V, f = 1MHz, Ta = -40 to +85°C)
- Read cycle time is 45ns (minimum)
- 32-pin plastic TSOP package, temperature range from -40 to +85°C
Teknik Özellikler
SRAM Type
Asynchronous SRAM, LPSRAM
Memory Density
4Mbit
Supply Voltage Range
2.7V to 3.6V
Memory Case Style
TSOP-II
No. of Pins
32Pins
Access Time
45ns
Supply Voltage Nom
3V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
Automotive Qualification Standard
-
Memory Size
4Mbit
SRAM Memory Configuration
512Kword x 8bit
Memory Configuration
512Kword x 8bit
IC Case / Package
TSOP-II
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Max
3.6V
Clock Frequency Max
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Malaysia
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Malaysia
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.000001
Ürün izlenebilirliği