Sayfayı Yazdır
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
Kullanılabilirlik Bilgileri Alınamıyor
Ürün Bilgileri
ÜreticiNEXPERIA
Üretici Parça No.PMR670UPE
Sipariş Kodu2069566
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id480mA
Drain Source On State Resistance0.67ohm
Transistor Case StyleSOT-416
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation250mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Ürün Genel Bakış
The PMR670UPE is a P-channel enhancement-mode FET in a small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in relay driver, high-speed line driver, High-side load-switch and switching circuit applications.
- Very fast switching
- ESD protection up to 2kV
- AEC-Q101 qualified
- -55 to 150°C Junction temperature range
Uygulamalar
Automotive, Power Management, Industrial
Teknik Özellikler
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
480mA
Transistor Case Style
SOT-416
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.67ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Teknik Belgeler (1)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Malaysia
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Malaysia
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Bildirilecek
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.000001