Sayfayı Yazdır

Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
Satıştan kaldırıldı
Ürün Bilgileri
ÜreticiIXYS SEMICONDUCTOR
Üretici Parça No.IXFN64N60P
Sipariş Kodu1427328
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id64A
Drain Source Voltage Vds600V
Drain Source On State Resistance0.096ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation700W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Ürün Genel Bakış
The IXFN64N60P is a PolarHV™ HiPerFET N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic diode.
- International standard package
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- UL94V-0 Flammability rating
- Unclamped inductive switching (UIS) rated
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
- Low RDS (ON) HDMOS™ process
Uygulamalar
Power Management, Industrial, Motor Drive & Control, Lighting, Thermal Management
Uyarılar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
700W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
64A
Drain Source On State Resistance
0.096ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Germany
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Germany
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.03