Sayfayı Yazdır
G2R1000MT17J
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 5 A, 1.7 kV, 1.45 ohm, TO-263 (D2PAK)
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiGENESIC
Üretici Parça No.G2R1000MT17J
Sipariş Kodu3598650
Ürün ÇeşitleriG2R Series
Teknik Bilgi Formu
73 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 1+ | 6,140 € |
| 5+ | 5,820 € |
| 10+ | 5,500 € |
| 50+ | 5,270 € |
| 100+ | 4,920 € |
| 250+ | 4,710 € |
Fiyatı:Each
Minimum: 1
Birden fazla: 1
6,14 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiGENESIC
Üretici Parça No.G2R1000MT17J
Sipariş Kodu3598650
Ürün ÇeşitleriG2R Series
Teknik Bilgi Formu
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id5A
Drain Source Voltage Vds1.7kV
Drain Source On State Resistance1.45ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation44W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeG2R Series
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Ürün Genel Bakış
G2R1000MT17J is a N-channel enhancement mode silicon carbide MOSFET. Application includes auxiliary power supply, solar inverters (string and central), infrastructure chargers, industrial motors (AC Servos), general purpose inverters, pulsed power, piezo drivers, and Ion beam generators.
- G2R™ technology, softer R v/s temperature dependency, LoRing™ electromagnetically optimized design
- Smaller R and lower QG, low device capacitances, industry-leading UIL and short-circuit robustness
- Robust body diode with low V and low QRR, optimized package with separate driver source pin
- Compatible with commercial gate drivers, low conduction losses at all temperature
- Reduced ringing, faster and more efficient switching, lesser switching spikes and lower losses
- Better power density and system efficiency, ease of paralleling without thermal runway
- Superior robustness and system reliability
- Drain-source voltage is 1700V (V = 0V, I = 100µA), power dissipation is 44W (TC=-25°C)
- 1000Mohm drain-source on-state resistance (typ, VGS=20V, ID=2A), 3A ID (TC = 100°C)
- 7pin TO-263-7 package, operating and storage temperature range from -55 to 175°C
Teknik Özellikler
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
5A
Drain Source On State Resistance
1.45ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.7kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
44W
Product Range
G2R Series
Teknik Belgeler (1)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:United States
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:United States
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.001393