Sayfayı Yazdır
SI9933CDY-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 4 A
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
14.408 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 5+ | 0,976 € |
| 50+ | 0,608 € |
| 100+ | 0,397 € |
| 500+ | 0,306 € |
| 1000+ | 0,277 € |
Fiyatı:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Birden fazla: 5
4,88 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiVISHAY
Üretici Parça No.SI9933CDY-T1-GE3
Sipariş Kodu1779275
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.048ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Genel Bakış
The SI9933CDY-T1-GE3 is a -20V Dual P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for DC to DC converters and load switch applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Uygulamalar
Power Management
Teknik Özellikler
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.048ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknik Belgeler (2)
SI9933CDY-T1-GE3 için alternatifler
1 Ürün Bulundu
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Israel
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Israel
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.000134
Ürün izlenebilirliği