Sayfayı Yazdır
SI4946BEY-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.033 ohm
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiVISHAY
Üretici Parça No.SI4946BEY-T1-GE3
Sipariş Kodu2646385
Ürün ÇeşitleriTrenchFET Series
Teknik Bilgi Formu
1.590 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 5+ | 1,960 € |
| 50+ | 1,320 € |
| 100+ | 0,972 € |
| 500+ | 0,791 € |
| 1000+ | 0,702 € |
Fiyatı:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Birden fazla: 5
9,80 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiVISHAY
Üretici Parça No.SI4946BEY-T1-GE3
Sipariş Kodu2646385
Ürün ÇeşitleriTrenchFET Series
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel6.5A
Continuous Drain Current Id P Channel6.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.033ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.033ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.7W
Power Dissipation P Channel3.7W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Genel Bakış
- Dual N-channel 60-V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- 175°C maximum junction temperature
- 100 % Rg Tested
Uyarılar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
6.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.033ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.7W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.033ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.7W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Teknik Belgeler (3)
SI4946BEY-T1-GE3 için alternatifler
2 Ürün Bulundu
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Taiwan
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Taiwan
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.0001