Sayfayı Yazdır
SI4599DY-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.0295 ohm
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
19.669 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 5+ | 1,080 € |
| 50+ | 0,745 € |
| 100+ | 0,504 € |
| 500+ | 0,399 € |
| 1000+ | 0,358 € |
Fiyatı:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Birden fazla: 5
5,40 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiVISHAY
Üretici Parça No.SI4599DY-T1-GE3
Sipariş Kodu1779270
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel6.8A
Continuous Drain Current Id P Channel6.8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0295ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0295ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Genel Bakış
The SI4599DY-T1-GE3 is a 40V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for backlight inverter for LCD display and full bridge converter applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Uygulamalar
Power Management
Teknik Özellikler
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
6.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0295ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0295ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.000126
Ürün izlenebilirliği