Sayfayı Yazdır
SI4214DDY-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.016 ohm
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiVISHAY
Üretici Parça No.SI4214DDY-T1-GE3
Sipariş Kodu2646382
Ürün ÇeşitleriTrenchFET Series
Teknik Bilgi Formu
2.346 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 5+ | 0,799 € |
| 50+ | 0,568 € |
| 100+ | 0,388 € |
| 500+ | 0,360 € |
| 1000+ | 0,331 € |
Fiyatı:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Birden fazla: 5
4,00 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiVISHAY
Üretici Parça No.SI4214DDY-T1-GE3
Sipariş Kodu2646382
Ürün ÇeşitleriTrenchFET Series
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel8.5A
Continuous Drain Current Id P Channel8.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.016ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.016ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Genel Bakış
The SI4214DDY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for notebook system power and low current DC-to-DC converter applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
Uygulamalar
Industrial, Power Management
Uyarılar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
8.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.016ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
8.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.016ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknik Belgeler (2)
SI4214DDY-T1-GE3 için alternatifler
1 Ürün Bulundu
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.000255
Ürün izlenebilirliği