Sayfayı Yazdır
SI3441BDV-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2.45 A, 0.09 ohm, TSOP, Surface Mount
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
Ürün Bilgileri
ÜreticiVISHAY
Üretici Parça No.SI3441BDV-T1-E3
Sipariş Kodu1213157
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.45A
Drain Source On State Resistance0.09ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max850mV
Power Dissipation860mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
SI3441BDV-T1-E3 için alternatifler
2 Ürün Bulundu
Teknik Özellikler
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.45A
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
860mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.09ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
850mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknik Belgeler (1)
İlgili Ürünler
2 Ürün Bulundu
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Bildirilecek
SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.00008