Sayfayı Yazdır
BUZ906
Power MOSFET, P Channel, 200 V, 8 A, 1.5 ohm, TO-3, Through Hole
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
Satıştan kaldırıldı
Ürün Bilgileri
ÜreticiTT ELECTRONICS / SEMELAB
Üretici Parça No.BUZ906
Sipariş Kodu1182827
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance1.5ohm
Transistor Case StyleTO-3
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation125W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (16-Jul-2019)
Ürün Genel Bakış
The BUZ906 is a -200V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET with high speed switching and integral protection diode designed for use in audio applications.
- High energy rating
- 60ns Turn-off time
- 120ns Turn-on time
Uygulamalar
Audio
Teknik Özellikler
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
TO-3
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (16-Jul-2019)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
1.5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknik Belgeler (1)
İlgili Ürünler
1 Ürün Bulundu
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Great Britain
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Great Britain
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (16-Jul-2019)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.0115