Sayfayı Yazdır
STU10NM60N
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-251, Through Hole
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
Satıştan kaldırıldı
Ürün Bilgileri
ÜreticiSTMICROELECTRONICS
Üretici Parça No.STU10NM60N
Sipariş Kodu2098346
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.53ohm
Transistor Case StyleTO-251
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation70W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Transistor Case Style
TO-251
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
70W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.53ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Bildirilecek
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.031