Sayfayı Yazdır
STL20N6F7
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 4600 µohm, PowerFLAT, Surface Mount
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiSTMICROELECTRONICS
Üretici Parça No.STL20N6F7
Sipariş Kodu4320035
Ürün ÇeşitleriSTripFET F7 Series
Teknik Bilgi Formu
Sipariş Verilebilir
Üretici Standart Teslim Süresi: 53 hafta
Yeniden stokta olduğunda beni bilgilendir
| Miktar | |
|---|---|
| 3000+ | 0,437 € |
| 9000+ | 0,407 € |
Fiyatı:Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Birden fazla: 3000
1.311,00 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiSTMICROELECTRONICS
Üretici Parça No.STL20N6F7
Sipariş Kodu4320035
Ürün ÇeşitleriSTripFET F7 Series
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance4600µohm
Transistor Case StylePowerFLAT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation78W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSTripFET F7 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Genel Bakış
STL20N6F7 is a N-channel STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 3.3x3.3 package. This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low onstate resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching. Suitable for switching applications.
- Among the lowest RDS(on) on the market
- Excellent figure of merit (FoM)
- Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
- High avalanche ruggedness
- 60V drain-source breakdown voltage
- 0.0054ohm static drain-source on-resistance max
- 20A drain current (continuous) at Tpcb = 25 °C
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
- 3W total dissipation at Tpcb = 25°C
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
PowerFLAT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
78W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
4600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
STripFET F7 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.000075
Ürün izlenebilirliği