Sayfayı Yazdır
PD20010-E
RF FET Transistor, 40 V, 5 A, 59 W, 2 GHz, PowerSO-10RF
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
Üretimden kaldırıldı
Ürün Bilgileri
ÜreticiSTMICROELECTRONICS
Üretici Parça No.PD20010-E
Sipariş Kodu2807337
Teknik Bilgi Formu
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id5A
Power Dissipation59W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max2GHz
Transistor Case StylePowerSO-10RF
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max165°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Ürün Genel Bakış
Uyarılar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Teknik Özellikler
Drain Source Voltage Vds
40V
Power Dissipation
59W
Operating Frequency Max
2GHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Continuous Drain Current Id
5A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
PowerSO-10RF
Operating Temperature Max
165°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
-
Teknik Belgeler (3)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.0023
Ürün izlenebilirliği