Sayfayı Yazdır
GD200HFY120C2S
IGBT Module, Half Bridge, 309 A, 2 V, 1.006 kW, 150 °C, Module
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
37 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 1+ | 86,700 € |
| 5+ | 81,720 € |
| 10+ | 76,420 € |
| 50+ | 73,650 € |
Fiyatı:Each
Minimum: 1
Birden fazla: 1
86,70 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiSTARPOWER
Üretici Parça No.GD200HFY120C2S
Sipariş Kodu2986062
Teknik Bilgi Formu
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current309A
DC Collector Current309A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Power Dissipation1.006kW
Power Dissipation Pd1.006kW
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Ürün Genel Bakış
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Uyarılar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Teknik Özellikler
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
309A
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Power Dissipation Pd
1.006kW
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
309A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2V
Power Dissipation
1.006kW
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Teknik Belgeler (1)
GD200HFY120C2S için alternatifler
1 Ürün Bulundu
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:To Be Advised
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.313704