Sayfayı Yazdır
BSM300D12P4G101
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 291 A, 1.2 kV, Module
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
6 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 1+ | 514,620 € |
Fiyatı:Each
Minimum: 1
Birden fazla: 1
514,62 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiROHM
Üretici Parça No.BSM300D12P4G101
Sipariş Kodu4168758
Teknik Bilgi Formu
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id291A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins11Pins
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max4.8V
Power Dissipation925W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Teknik Özellikler
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
291A
Drain Source On State Resistance
-
No. of Pins
11Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.8V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
925W
Product Range
-
Teknik Belgeler (1)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Japan
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Japan
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Y-Ex
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:To Be Advised
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.394
Ürün izlenebilirliği