Sayfayı Yazdır
NTH4L070N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 37 A, 1.2 kV, 0.091 ohm, TO-247
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
Sipariş Verilebilir
Üretici Standart Teslim Süresi: 10 hafta
Yeniden stokta olduğunda beni bilgilendir
| Miktar | |
|---|---|
| 1+ | 19,410 € |
| 5+ | 16,980 € |
| 10+ | 14,070 € |
| 50+ | 12,620 € |
| 100+ | 11,650 € |
| 250+ | 10,870 € |
Fiyatı:Each
Minimum: 1
Birden fazla: 1
19,41 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiONSEMI
Üretici Parça No.NTH4L070N120M3S
Sipariş Kodu4143101
Teknik Bilgi Formu
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id37A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.091ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation252W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
Teknik Özellikler
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
37A
Drain Source On State Resistance
0.091ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
252W
Product Range
-
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (10-Jun-2022)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.00831
Ürün izlenebilirliği