Sayfayı Yazdır
FDC6327C
Dual MOSFET, N and P Channel, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiONSEMI
Üretici Parça No.FDC6327C
Sipariş Kodu9844856RL
Ürün ÇeşitleriPowerTrench Series
Teknik Bilgi Formu
4.489 Stoklarımızda
9.000 Şimdi stok ayırtabilirsiniz
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 100+ | 0,502 € |
| 500+ | 0,403 € |
| 1500+ | 0,357 € |
Fiyatı:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Birden fazla: 5
55,20 € (KDV Hariç)
5,00 € tutarında yeniden makaralama ücreti bu ürüne eklenecek
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiONSEMI
Üretici Parça No.FDC6327C
Sipariş Kodu9844856RL
Ürün ÇeşitleriPowerTrench Series
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel2.7A
Continuous Drain Current Id P Channel1.9A
Drain Source On State Resistance N Channel0.08ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.17ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel960mW
Power Dissipation P Channel960mW
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Ürün Genel Bakış
The FDC6327C is a dual N/P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. This device has been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive packages are impractical. It is suitable for use with load switch and DC-to-DC converter applications.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
Uygulamalar
Industrial, Power Management
Teknik Özellikler
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
1.9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.17ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
960mW
Product Range
PowerTrench Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.08ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
960mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Teknik Belgeler (2)
İlgili Ürünler
2 Ürün Bulundu
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Philippines
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Philippines
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.000049
Ürün izlenebilirliği