Sayfayı Yazdır
FDA16N50-F109
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 16.5 A, 0.38 ohm, TO-3P, Through Hole
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
Üretimden kaldırıldı
Ürün Bilgileri
ÜreticiONSEMI
Üretici Parça No.FDA16N50-F109
Sipariş Kodu1324783
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id16.5A
Drain Source On State Resistance0.38ohm
Transistor Case StyleTO-3P
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation205W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
16.5A
Transistor Case Style
TO-3P
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
205W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.38ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Bildirilecek
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.005