Sayfayı Yazdır
MJD122T4G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pins
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
13.206 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 100+ | 0,561 € |
| 500+ | 0,443 € |
| 1000+ | 0,398 € |
Fiyatı:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Birden fazla: 5
61,10 € (KDV Hariç)
5,00 € tutarında yeniden makaralama ücreti bu ürüne eklenecek
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiONSEMI
Üretici Parça No.MJD122T4G
Sipariş Kodu2317578RL
Teknik Bilgi Formu
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max100V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd20W
Continuous Collector Current8A
DC Collector Current8A
Power Dissipation20W
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transition Frequency4MHz
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min1000hFE
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Ürün Genel Bakış
The MJD122T4G is a 8A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. It is the surface-mount replacement for 2N6040 to 2N6045 series, TIP120 to TIP122 series and TIP125 to TIP127 series.
- Lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves
- Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
- Complementary pairs simplifies designs
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Uygulamalar
Industrial, Power Management, Automotive
Teknik Özellikler
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Continuous Collector Current
8A
Power Dissipation
20W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
1000hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min
1000hFE
Qualification
-
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation Pd
20W
DC Collector Current
8A
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
4MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Teknik Belgeler (2)
MJD122T4G için alternatifler
1 Ürün Bulundu
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Y-Ex
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.00033
Ürün izlenebilirliği