Sayfayı Yazdır
MJD117T4G
Darlington Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pins
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
438 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 5+ | 0,905 € |
| 50+ | 0,674 € |
| 100+ | 0,464 € |
| 500+ | 0,377 € |
| 1000+ | 0,330 € |
Fiyatı:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Birden fazla: 5
4,52 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiONSEMI
Üretici Parça No.MJD117T4G
Sipariş Kodu2845303
Teknik Bilgi Formu
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd20W
DC Collector Current2A
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
No. of Pins4Pins
DC Current Gain hFE200hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Teknik Özellikler
Transistor Polarity
PNP
Power Dissipation Pd
20W
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
200hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
DC Collector Current
2A
No. of Pins
4Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Teknik Belgeler (2)
MJD117T4G için alternatifler
2 Ürün Bulundu
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Y-Ex
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.000426