Sayfayı Yazdır
FFSH50120A
Silicon Carbide Schottky Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Single, 1.2 kV, 50 A, 252 nC, TO-247
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiONSEMI
Üretici Parça No.FFSH50120A
Sipariş Kodu2895625
Ürün ÇeşitleriEliteSiC Series
Teknik Bilgi Formu
1.660 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 1+ | 20,530 € |
| 5+ | 20,350 € |
| 10+ | 20,160 € |
| 50+ | 11,710 € |
| 100+ | 11,490 € |
| 250+ | 11,270 € |
Fiyatı:Each
Minimum: 1
Birden fazla: 1
20,53 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiONSEMI
Üretici Parça No.FFSH50120A
Sipariş Kodu2895625
Ürün ÇeşitleriEliteSiC Series
Teknik Bilgi Formu
Product RangeEliteSiC Series
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage1.2kV
Average Forward Current50A
Total Capacitive Charge252nC
Diode Case StyleTO-247
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Ürün Genel Bakış
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
- Max Junction Temperature 175°C
- AEC−Q101 qualified
- Avalanche Rated 200 mJ
- No Reverse Recovery/No Forward Recovery
- Ease of Paralleling
- High Surge Current Capacity
- Positive Temperature Coefficient
Teknik Özellikler
Product Range
EliteSiC Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
1.2kV
Total Capacitive Charge
252nC
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Through Hole
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
50A
Diode Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Y-Ex
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.006999
Ürün izlenebilirliği