Sayfayı Yazdır
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiONSEMI
Üretici Parça No.FDH055N15A
Sipariş Kodu2825158
Ürün ÇeşitleriPowerTrench
Teknik Bilgi Formu
4.199 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
Miktar | |
---|---|
1+ | 6,740 € |
5+ | 6,710 € |
10+ | 6,680 € |
50+ | 3,910 € |
100+ | 3,780 € |
250+ | 3,650 € |
Fiyatı:Each
Minimum: 1
Birden fazla: 1
6,74 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiONSEMI
Üretici Parça No.FDH055N15A
Sipariş Kodu2825158
Ürün ÇeşitleriPowerTrench
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id156A
Drain Source On State Resistance0.0048ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation429W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Ürün Genel Bakış
FDH055N15A is a N-channel, POWERTRENCH® MOSFET. This N-channel MOSFET is produced using Onsemi’s advanced POWERTRENCH process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance. The application includes synchronous rectification for ATX / sever / telecom PSU, battery protection circuit, motor drives and uninterruptible power supplies, micro solar inverter.
- Fast switching speed, low gate charge, high power and current handling capability
- High performance trench technology for extremely low RDS(on)
- Static drain to source on resistance is 4.8mohm typ (VGS = 10V, ID = 120A, TC = 25°C)
- Drain to source breakdown voltage is 150V min (ID = 250µA, VGS = 0V, TC = 25°C)
- Breakdown voltage temperature coefficient is 0.1V/°C typ (ID = 250µA, Referenced to 25°C)
- Gate threshold voltage range from 2.0 to 4.0V (VGS = VDS, ID = 250µA, 25°C)
- Input capacitance is 7100pF typ (VDS = 75V, VGS = 0V, f = 1MHz, 25°C)
- Output capacitance is 664pF typ (VDS = 75V, VGS = 0V, f = 1MHz, 25°C)
- Power dissipation is 429W (25°C)
- TO−247−3LD package, operating temperature range from -55 to + 175°C
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
156A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
429W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0048ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
PowerTrench
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Y-Ex
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.006867
Ürün izlenebilirliği