Sayfayı Yazdır
Ürün Bilgileri
ÜreticiONSEMI
Üretici Parça No.FDD6N50TM
Sipariş Kodu3616028
Ürün ÇeşitleriUniFET
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.76ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation89W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeUniFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
FDD6N50TM için alternatifler
1 Ürün Bulundu
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
89W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.76ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
UniFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknik Belgeler (3)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Y-Ex
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.1