Sayfayı Yazdır
FDC2612
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Surface Mount
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
4.161 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 100+ | 0,408 € |
| 500+ | 0,337 € |
| 1000+ | 0,298 € |
| 5000+ | 0,265 € |
Fiyatı:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Birden fazla: 1
45,80 € (KDV Hariç)
5,00 € tutarında yeniden makaralama ücreti bu ürüne eklenecek
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiONSEMI
Üretici Parça No.FDC2612
Sipariş Kodu2454150RL
Teknik Bilgi Formu
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id1.1A
Drain Source On State Resistance0.605ohm
On Resistance Rds(on)0.605ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1.6W
Power Dissipation Pd1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Ürün Genel Bakış
The FDC2612 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON) and fast switching speed.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- Fast switching speed
- 8nC typical low gate charge
Uyarılar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Teknik Özellikler
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.605ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.6W
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.1A
On Resistance Rds(on)
0.605ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Philippines
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Philippines
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.000036
Ürün izlenebilirliği