Sayfayı Yazdır
BSP52T1G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 4 Pins
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
3.504 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 50+ | 0,331 € |
| 250+ | 0,253 € |
| 1000+ | 0,156 € |
| 3000+ | 0,137 € |
Fiyatı:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Birden fazla: 5
38,10 € (KDV Hariç)
5,00 € tutarında yeniden makaralama ücreti bu ürüne eklenecek
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiONSEMI
Üretici Parça No.BSP52T1G
Sipariş Kodu2317579RL
Teknik Bilgi Formu
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Collector Emitter Voltage Max80V
Continuous Collector Current1A
Power Dissipation Pd1.25W
DC Collector Current1A
Power Dissipation800mW
RF Transistor CaseSOT-223
No. of Pins4Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min1000hFE
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Ürün Genel Bakış
The BSP52T1G is a NPN bipolar Darlington Transistor designed for use in switching applications such as print hammer, relay, solenoid and lamp drivers. The device is housed in the package which is designed for medium power surface-mount applications. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die.
- Can be soldered using wave or reflow
- PNP complement is BSP62T1
- AECQ101 qualified and PPAP capable
Uygulamalar
Industrial, Power Management, Automotive
Teknik Özellikler
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
80V
Power Dissipation Pd
1.25W
Power Dissipation
800mW
No. of Pins
4Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min
1000hFE
Qualification
AEC-Q101
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
Continuous Collector Current
1A
DC Collector Current
1A
RF Transistor Case
SOT-223
DC Current Gain hFE
1000hFE
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Teknik Belgeler (2)
BSP52T1G için alternatifler
1 Ürün Bulundu
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Malaysia
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Malaysia
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Y-Ex
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.00012
Ürün izlenebilirliği