Sayfayı Yazdır
BF512,215
RF FET Transistor, 20 V, 30 mA, 250 mW, TO-236AB
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
Ürün Bilgileri
ÜreticiNXP
Üretici Parça No.BF512,215
Sipariş Kodu2985161RL
Teknik Bilgi Formu
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id30mA
Power Dissipation250mW
Operating Frequency Min-
Power Dissipation Pd250mW
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleTO-236AB
RF Transistor CaseTO-236AB
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Teknik Özellikler
Drain Source Voltage Vds
20V
Power Dissipation
250mW
Power Dissipation Pd
250mW
Transistor Case Style
TO-236AB
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
30mA
Operating Frequency Min
-
Operating Frequency Max
-
RF Transistor Case
TO-236AB
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Teknik Belgeler (1)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Thailand
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Thailand
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.0003
Ürün izlenebilirliği