Sayfayı Yazdır
IXTN36N50
MOSFET Transistor, N Channel, 36 A, 500 V, 0.12 ohm, 10 V, 5 V
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
Üretimden kaldırıldı
Ürün Bilgileri
ÜreticiIXYS SEMICONDUCTOR
Üretici Parça No.IXTN36N50
Sipariş Kodu9359214
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source Voltage Vds500V
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation400W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Ürün Genel Bakış
The IXTN36N50 is a MegaMOS™FRED N-channel enhancement-mode Power MOSFET offers rugged polysilicon gate cell structure and low RDS (ON) HDMOS™ process. It is uninterruptible power systems (UPS), DC choppers, switch-mode and resonant-mode power supplies.
- International standard package miniBLOC (ISOTOP compatible)
- Low drain-to-case capacitance (<lt/>50pF)
- Low package inductance (<lt/>10nH) - Easy to drive and to protect
- Easy to mount with 2 screws
- Space saving
- High power density
Uygulamalar
Motor Drive & Control, Robotics, Power Management
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
400W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
36A
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
150°C
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Germany
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Germany
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.03984