Sayfayı Yazdır
IXFN80N60P3
MOSFET Transistor, N Channel, 66 A, 600 V, 0.077 ohm, 10 V, 5 V
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiIXYS SEMICONDUCTOR
Üretici Parça No.IXFN80N60P3
Sipariş Kodu2782974
Ürün ÇeşitleriPolar3 HiperFET
Teknik Bilgi Formu
Satıştan kaldırıldı
Ürün Bilgileri
ÜreticiIXYS SEMICONDUCTOR
Üretici Parça No.IXFN80N60P3
Sipariş Kodu2782974
Ürün ÇeşitleriPolar3 HiperFET
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id66A
Drain Source Voltage Vds600V
Drain Source On State Resistance0.077ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation960W
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar3 HiperFET
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
960W
Product Range
Polar3 HiperFET
Continuous Drain Current Id
66A
Drain Source On State Resistance
0.077ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:United States
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:United States
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Y-Ex
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.03