Sayfayı Yazdır
IXFN80N50
MOSFET Transistor, HiPerFET, N Channel, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiIXYS SEMICONDUCTOR
Üretici Parça No.IXFN80N50
Sipariş Kodu7348029
Ürün ÇeşitleriHiPerFET Series
Teknik Bilgi Formu
94 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
Stoklar tükenene kadar mevcut
| Miktar | |
|---|---|
| 1+ | 55,930 € |
| 5+ | 53,130 € |
| 10+ | 40,620 € |
| 50+ | 39,530 € |
Fiyatı:Each
Minimum: 1
Birden fazla: 1
55,93 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiIXYS SEMICONDUCTOR
Üretici Parça No.IXFN80N50
Sipariş Kodu7348029
Ürün ÇeşitleriHiPerFET Series
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source Voltage Vds500V
On Resistance Rds(on)0.055ohm
Drain Source On State Resistance0.055ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Transistor MountingModule
Power Dissipation780W
Power Dissipation Pd780W
Transistor Case StyleISOTOP
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins4Pins
Qualification-
Product RangeHiPerFET Series
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Ürün Genel Bakış
The IXFN80N50 is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC, with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- High dv/dt rating
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Uygulamalar
Power Management, Lighting, Motor Drive & Control
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.055ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Mounting
Module
Power Dissipation Pd
780W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.055ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
780W
Transistor Case Style
ISOTOP
No. of Pins
4Pins
Product Range
HiPerFET Series
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Germany
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Germany
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.234507