Sayfayı Yazdır
IXFN27N80Q
MOSFET Transistor, N Channel, 27 A, 800 V, 0.32 ohm, 10 V, 4.5 V
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
Üretimden kaldırıldı
Ürün Bilgileri
ÜreticiIXYS SEMICONDUCTOR
Üretici Parça No.IXFN27N80Q
Sipariş Kodu4905593
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id27A
Drain Source Voltage Vds800V
Drain Source On State Resistance0.32ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation520W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Ürün Genel Bakış
The IXFN27N80Q is a Q-class HiPerFET™ N-channel enhancement-mode Single Die Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic rectifier.
- International standard package
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- UL94V-0 Flammability rating
- Unclamped inductive switching (UIS) rated
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
- High dV/dt and low trr
Uygulamalar
Power Management, Industrial, Motor Drive & Control
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
520W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
27A
Drain Source On State Resistance
0.32ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
150°C
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:United States
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:United States
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.04
Ürün izlenebilirliği