Sayfayı Yazdır
IXFN26N90
MOSFET Transistor, N Channel, 26 A, 900 V, 0.3 ohm, 10 V, 5 V
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
Üretimden kaldırıldı
Ürün Bilgileri
ÜreticiIXYS SEMICONDUCTOR
Üretici Parça No.IXFN26N90
Sipariş Kodu4905570
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id26A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.3ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation600W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
600W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
26A
Drain Source On State Resistance
0.3ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
150°C
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:United States
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:United States
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Bildirilecek
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.044