Sayfayı Yazdır
IXFN200N10P
MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 200 A, 100 V, 0.0075 ohm, 15 V, 5 V
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiIXYS SEMICONDUCTOR
Üretici Parça No.IXFN200N10P
Sipariş Kodu1427322
Ürün ÇeşitleriPolar(TM) HiPerFET
Teknik Bilgi Formu
88 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 1+ | 27,100 € |
| 5+ | 23,470 € |
| 10+ | 19,840 € |
| 50+ | 19,160 € |
| 100+ | 18,470 € |
Fiyatı:Each
Minimum: 1
Birden fazla: 1
27,10 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiIXYS SEMICONDUCTOR
Üretici Parça No.IXFN200N10P
Sipariş Kodu1427322
Ürün ÇeşitleriPolar(TM) HiPerFET
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
Transistor Case StyleISOTOP
Rds(on) Test Voltage15V
Transistor MountingModule
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation680W
Operating Temperature Max175°C
No. of Pins4Pins
Product RangePolar(TM) HiPerFET
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Ürün Genel Bakış
The IXFN200N10P is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Encapsulating epoxy meets UL94V-0, flammability classification
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- High power density
- Space savings
Uygulamalar
Power Management, Lighting
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Transistor Case Style
ISOTOP
Transistor Mounting
Module
Power Dissipation
680W
No. of Pins
4Pins
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Continuous Drain Current Id
200A
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage
15V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
Polar(TM) HiPerFET
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Germany
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Germany
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.03
Ürün izlenebilirliği