Sayfayı Yazdır
IXFN200N07
MOSFET Transistor, HiPerFET, N Channel, 200 A, 70 V, 0.006 ohm, 10 V, 4 V
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
Üretimden kaldırıldı
Ürün Bilgileri
ÜreticiIXYS SEMICONDUCTOR
Üretici Parça No.IXFN200N07
Sipariş Kodu4905659
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds70V
Drain Source On State Resistance0.006ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation520W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Ürün Genel Bakış
The IXFN200N07 is a single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static ON-resistance HDMOS™ process and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, synchronous rectification, battery chargers, DC choppers, switch-mode and resonant-mode power supplies.
- International standard packages
- MiniBLOC with aluminium nitride isolation
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Unclamped inductive switching (UIS) rating
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space saving
Uygulamalar
Power Management, Lighting
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
70V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
520W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
200A
Drain Source On State Resistance
0.006ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
150°C
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:United States
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:United States
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.044