Sayfayı Yazdır
IXFN180N25T
MOSFET Transistor, N Channel, 168 A, 250 V, 0.0129 ohm, 10 V, 5 V, SOT-227B
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiIXYS SEMICONDUCTOR
Üretici Parça No.IXFN180N25T
Sipariş Kodu3438386
Ürün ÇeşitleriGigaMOS
Teknik Bilgi Formu
Satıştan kaldırıldı
Ürün Bilgileri
ÜreticiIXYS SEMICONDUCTOR
Üretici Parça No.IXFN180N25T
Sipariş Kodu3438386
Ürün ÇeşitleriGigaMOS
Teknik Bilgi Formu
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id168A
Drain Source Voltage Vds250V
Drain Source On State Resistance0.0129ohm
On Resistance Rds(on)0.0129ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation900W
Power Dissipation Pd900W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeGigaMOS
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Teknik Özellikler
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
168A
Drain Source On State Resistance
0.0129ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
900W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
On Resistance Rds(on)
0.0129ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
900W
Product Range
GigaMOS
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Philippines
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Philippines
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.004