Sayfayı Yazdır
IXFN180N20
MOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 200 V, 0.01 ohm, 10 V, 4 V
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
Satıştan kaldırıldı
Ürün Bilgileri
ÜreticiIXYS SEMICONDUCTOR
Üretici Parça No.IXFN180N20
Sipariş Kodu4905684
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source Voltage Vds200V
Drain Source On State Resistance0.01ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation700W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Ürün Genel Bakış
The IXFN180N20 is a single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static drain-to-source ON-resistance and space saving. It is suitable for DC-to-DC converters, battery chargers and AC choppers.
- International standard packages
- MiniBLOC with aluminium nitride isolation
- Avalanche rating
- Low package inductance
- Low Qg
- Easy to mount
Uygulamalar
Power Management, Lighting
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
700W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
180A
Drain Source On State Resistance
0.01ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
150°C
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:United States
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:United States
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Bildirilecek
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.046