Sayfayı Yazdır

Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
Üretimden kaldırıldı
Ürün Bilgileri
ÜreticiIXYS SEMICONDUCTOR
Üretici Parça No.IXFN180N10
Sipariş Kodu4905672
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.008ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation600W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
IXFN180N10 için alternatifler
0 Ürün Bulundu
Ürün Genel Bakış
The IXFN180N10 is a 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™) and low RDS (on). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Low drain-to-tab capacitance
- Low inductance
- Avalanche rated
- Easy to mount
- Space-saving s
Uygulamalar
Power Management, Industrial, Lighting
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
600W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
180A
Drain Source On State Resistance
0.008ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
150°C
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:United States
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:United States
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.042