Sayfayı Yazdır
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
Üretimden kaldırıldı
Ürün Bilgileri
ÜreticiIXYS SEMICONDUCTOR
Üretici Parça No.IXFN120N20
Sipariş Kodu9359257
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source Voltage Vds200V
Drain Source On State Resistance0.017ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation600W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Ürün Genel Bakış
The IXFN120N20 is a 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™) and low RDS (on). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
- Encapsulating epoxy meets UL94V-0 flammability
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
- Low inductance
- High power density
- Easy to mount
- Space-saving s
Uygulamalar
Power Management, Motor Drive & Control, Lighting
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
600W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
120A
Drain Source On State Resistance
0.017ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Germany
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Germany
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.043545