Sayfayı Yazdır
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiIXYS SEMICONDUCTOR
Üretici Parça No.IXFN102N30P
Sipariş Kodu2674759
Ürün ÇeşitleriPolarHV HiPerFET
Teknik Bilgi Formu
Satıştan kaldırıldı
Ürün Bilgileri
ÜreticiIXYS SEMICONDUCTOR
Üretici Parça No.IXFN102N30P
Sipariş Kodu2674759
Ürün ÇeşitleriPolarHV HiPerFET
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id86A
Drain Source Voltage Vds300V
Drain Source On State Resistance0.033ohm
On Resistance Rds(on)0.033ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd570W
Power Dissipation570W
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolarHV HiPerFET
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Ürün Genel Bakış
Uygulamalar
Medical
Uyarılar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
86A
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
570W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
300V
On Resistance Rds(on)
0.033ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
570W
Product Range
PolarHV HiPerFET
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:United States
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:United States
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Y-Ex
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.03
Ürün izlenebilirliği