Sayfayı Yazdır
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
Üretimden kaldırıldı
Ürün Bilgileri
ÜreticiIXYS RF
Üretici Parça No.IXFK21N100F
Sipariş Kodu1347758
Teknik Bilgi Formu
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id21A
Power Dissipation500W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max500kHz
Transistor Case StyleTO-264AA
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Ürün Genel Bakış
The IXFK21N100F is a N-channel Power MOSFET designed for use with DC-to-DC converters, SMPS/RMPS, DC choppers, pulse generation, laser drivers and RF amplifier applications. It offers low package inductance hence easy to drive and to protect.
- RF capable MOSFET
- Enhancement-mode
- Double metal process for low gate resistance
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Unclamped inductive switching rated
- High power density
Uygulamalar
Industrial, Power Management
Teknik Özellikler
Drain Source Voltage Vds
1kV
Power Dissipation
500W
Operating Frequency Max
500kHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
21A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
TO-264AA
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Through Hole
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:United States
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:United States
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Bildirilecek
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.01