Sayfayı Yazdır
SPD08N50C3ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 7.6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.SPD08N50C3ATMA1
Sipariş Kodu1664112
Ürün ÇeşitleriCoolMOS Series
Diğer AdıylaSPD08N50C3 , SP001117776
Teknik Bilgi Formu
1.933 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
Stoklar tükenene kadar mevcut
| Miktar | |
|---|---|
| 1+ | 1,500 € |
| 10+ | 1,270 € |
| 100+ | 1,060 € |
| 500+ | 0,869 € |
| 1000+ | 0,767 € |
Fiyatı:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Birden fazla: 1
1,50 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.SPD08N50C3ATMA1
Sipariş Kodu1664112
Ürün ÇeşitleriCoolMOS Series
Diğer AdıylaSPD08N50C3 , SP001117776
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id7.6A
Drain Source On State Resistance0.6ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.9V
Power Dissipation83W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS Series
Qualification-
Ürün Genel Bakış
The SPD08N50C3 is a CoolMOS™ N-channel Power MOSFET comes with a new revolutionary high voltage technology. It offers ultra-low gate charge and ultra-low effective capacitances. The 500V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the “working horse" of the portfolio.
- Low specific ON-state resistance
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss) @ 400V
- Low gate charge (Qg)
- Field proven CoolMOS™ quality
- High efficiency and power density
- High reliability
- Ease of use
- Periodic avalanche rated
- Extreme dV/dt rated
- Improved transconductance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Green device
Uygulamalar
Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics
Notlar
Replacement for 500V CoolMOS™ C3 is 500V CoolMOS™ CE.
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.6A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.9V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS Series
Teknik Belgeler (2)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Malaysia
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Malaysia
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Bildirilecek
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.000907
Ürün izlenebilirliği