Sayfayı Yazdır
IRLML6402TRPBF
MOSFET Transistor, P Channel, 3.7A, 20V, 65 mohm, 1.3W, SOT-23
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IRLML6402TRPBF
Sipariş Kodu9103503
Ürün ÇeşitleriHEXFET Series
Diğer AdıylaSP001552740
Teknik Bilgi Formu
90.598 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 5+ | 0,417 € |
| 50+ | 0,244 € |
| 250+ | 0,128 € |
| 1000+ | 0,107 € |
| 3000+ | 0,0854 € |
Fiyatı:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Birden fazla: 5
2,08 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IRLML6402TRPBF
Sipariş Kodu9103503
Ürün ÇeşitleriHEXFET Series
Diğer AdıylaSP001552740
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.7A
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max550mV
Power Dissipation1.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Genel Bakış
The IRLML6402PBF is -20V single P channel HEXFET power MOSFET in Micro3 (SOT-23) package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, ruggedness, fast switching as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications such as battery and load management, portable electronics and PCMCIA cards and printed circuit board where space is at a premium.
- Drain to source voltage (Vds) of -20V
- Gate to source voltage of ±12V
- On resistance Rds(on) of 80mohm at Vgs -2.5V
- Power dissipation Pd of 1.3W at 25°C
- Continuous drain current Id of -3.7A at Vgs -4.5V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
- 0.01W/°C linear derating factor
Uyarılar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Teknik Özellikler
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.7A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
550mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Teknik Belgeler (1)
IRLML6402TRPBF için alternatifler
3 Ürün Bulundu
İlgili Ürünler
2 Ürün Bulundu
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Malaysia
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Malaysia
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.000091
Ürün izlenebilirliği