Sayfayı Yazdır
IRLB8314PBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 171 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Through Hole
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IRLB8314PBF
Sipariş Kodu2617411
Ürün ÇeşitleriHEXFET Series
Diğer AdıylaSP001572766
Teknik Bilgi Formu
3.995 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 1+ | 1,310 € |
| 10+ | 0,613 € |
| 100+ | 0,567 € |
| 500+ | 0,487 € |
| 1000+ | 0,444 € |
| 5000+ | 0,361 € |
Fiyatı:Each
Minimum: 1
Birden fazla: 1
1,31 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IRLB8314PBF
Sipariş Kodu2617411
Ürün ÇeşitleriHEXFET Series
Diğer AdıylaSP001572766
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id171A
Drain Source On State Resistance0.0024ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Genel Bakış
IRLB8314PBF is a HEXFET® power MOSFET. Application includes optimized for UPS/inverter applications, low voltage power tools.
- Best in Class performance for UPS/Inverter applications
- Ultra-low gate impedance, fully characterized avalanche voltage and current
- Static drain-to-source on-resistance is 1.9mohm typ (VGS = 10V, ID = 68A, TJ = 25°C)
- Total gate charge is 40nC typ (VDS = 15V, VGS = 4.5V, ID = 68A, TJ = 25°C)
- Drain-to-source breakdown voltage is 30V min (VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25°C)
- Turn-on delay time is 19ns typ (VDD = 15V, TJ = 25°C)
- Turn-off delay time is 32ns typ (VDD = 15V, TJ = 25°C)
- Input capacitance is 5050pF typ (VGS = 0V, TJ = 25°C)
- Output capacitance is 890pF typ (VGS = 0V, TJ = 25°C)
- TO-220AB package, operating junction temperature range from -55 to + 175°C
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
171A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0024ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Teknik Belgeler (3)
İlgili Ürünler
7 Ürün Bulundu
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.005534