Sayfayı Yazdır
IRL60SL216
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 298 A, 0.00195 ohm, TO-262, Through Hole
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IRL60SL216
Sipariş Kodu3514440
Ürün ÇeşitleriStrongIRFET HEXFET Series
Diğer AdıylaSP001558100
Teknik Bilgi Formu
891 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
Stoklar tükenene kadar mevcut
| Miktar | |
|---|---|
| 1+ | 3,660 € |
| 5+ | 3,590 € |
| 10+ | 3,510 € |
| 50+ | 3,440 € |
| 100+ | 3,370 € |
| 250+ | 3,290 € |
Fiyatı:Each
Minimum: 1
Birden fazla: 1
3,66 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IRL60SL216
Sipariş Kodu3514440
Ürün ÇeşitleriStrongIRFET HEXFET Series
Diğer AdıylaSP001558100
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id298A
Drain Source On State Resistance0.00195ohm
Transistor Case StyleTO-262
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET HEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Ürün Genel Bakış
IRL60SL216 is a HEXFET® power MOSFET. Typical applications include brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery-powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters and DC/AC inverters.
- Optimized for logic level drive
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
- Maximum power dissipation of 375W
Uyarılar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
298A
Transistor Case Style
TO-262
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.00195ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET HEXFET Series
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Teknik Belgeler (1)
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Malaysia
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:Malaysia
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.00143