Sayfayı Yazdır
IRFS7530TRLPBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 295 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IRFS7530TRLPBF
Sipariş Kodu2709996RL
Ürün ÇeşitleriStrongIRFET HEXFET Series
Diğer AdıylaSP001567992
Teknik Bilgi Formu
4.874 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 100+ | 1,840 € |
| 500+ | 1,480 € |
| 1000+ | 1,300 € |
Fiyatı:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Birden fazla: 1
189,00 € (KDV Hariç)
5,00 € tutarında yeniden makaralama ücreti bu ürüne eklenecek
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IRFS7530TRLPBF
Sipariş Kodu2709996RL
Ürün ÇeşitleriStrongIRFET HEXFET Series
Diğer AdıylaSP001567992
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id295A
Drain Source On State Resistance0.002ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET HEXFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Genel Bakış
IRFS7530TRLPBF is a HEXFET® power MOSFET. Typical applications include brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters and DC/AC inverters.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
- 375W maximum power dissipation at TC = 25°C
- 2.5W/°C linear derating factor
- ±20V gate-to-source voltage
- D2-Pak package
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
295A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.002ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknik Belgeler (3)
IRFS7530TRLPBF için alternatifler
1 Ürün Bulundu
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.001227
Ürün izlenebilirliği