Sayfayı Yazdır
IRFB7530PBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Through Hole
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IRFB7530PBF
Sipariş Kodu2406514
Ürün ÇeşitleriStrongIRFET HEXFET Series
Diğer AdıylaSP001575524
Teknik Bilgi Formu
11.121 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 1+ | 2,860 € |
| 10+ | 2,800 € |
| 100+ | 1,510 € |
| 500+ | 1,350 € |
| 1000+ | 1,340 € |
Fiyatı:Each
Minimum: 1
Birden fazla: 1
2,86 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IRFB7530PBF
Sipariş Kodu2406514
Ürün ÇeşitleriStrongIRFET HEXFET Series
Diğer AdıylaSP001575524
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id195A
Drain Source On State Resistance0.002ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET HEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Genel Bakış
The IRFB7530PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, synchronous rectifier applications, O-ring and redundant power switches, half-bridge and full-bridge topologies.
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
Uygulamalar
Motor Drive & Control, Power Management
Uyarılar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Teknik Özellikler
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
195A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.002ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET HEXFET Series
MSL
-
Teknik Belgeler (1)
IRFB7530PBF için alternatifler
2 Ürün Bulundu
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.00195