Sayfayı Yazdır
IRF4905PBF
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Through Hole
Resim yalnızca örnek vermeyi amaçlamaktadır. Lütfen ürün açıklamasına bakın.
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IRF4905PBF
Sipariş Kodu8648190
Ürün ÇeşitleriHEXFET Series
Diğer AdıylaSP001571330
Teknik Bilgi Formu
74.474 Stoklarımızda
Daha fazlasına mı ihtiyacınız var?
500€ üzeri siparişler için ÜCRETSİZ Teslimat
15.00'dan önce siparişte standart teslimat
| Miktar | |
|---|---|
| 1+ | 2,750 € |
| 10+ | 2,000 € |
| 100+ | 1,240 € |
| 500+ | 0,884 € |
| 1000+ | 0,819 € |
| 5000+ | 0,803 € |
Fiyatı:Each
Minimum: 1
Birden fazla: 1
2,75 € (KDV Hariç)
Parça No. / Seri Notu Ekle
Yalnızca bu sipariş için Sipariş Onayınıza, Faturanıza ve İrsaliyenize eklenir.
Bu numara Sipariş Onayı, Fatura, İrsaliye, Web onay E-postası ve Ürün Etiketine eklenecektir.
Ürün Bilgileri
ÜreticiINFINEON
Üretici Parça No.IRF4905PBF
Sipariş Kodu8648190
Ürün ÇeşitleriHEXFET Series
Diğer AdıylaSP001571330
Teknik Bilgi Formu
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id74A
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Genel Bakış
The IRF4905PBF is -55V single P channel HEXFET power MOSFET in TO-220AB package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage Vds is -55V
- Gate to source voltage is ±20V
- On resistance Rds(on) of 20mohm at Vgs of -10V
- Power dissipation Pd of 200W at 25°C
- Continuous drain current Id of -74A at Vgs 10V and 25°C
- Junction temperature range from -55°C to 175°C
Teknik Özellikler
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
74A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Teknik Belgeler (2)
İlgili Ürünler
1 Ürün Bulundu
Mevzuat ve Çevre
Menşe Ülke:
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülkeMenşe Ülke:China
En son önemli imalat işleminin gerçekleştirildiği ülke
Fiyat Listesi No:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS Uyumlu:Evet
RoHS
RoHS Ftalatlar Uyumlu:Evet
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Ürün Uyumluluk Belgesini İndirin
Ürün Uyumluluk Belgesi
Ağırlık (kg):.002041